半導体集積回路装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232191
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050625
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】パターン密度が疎な領域と密な領域とを有する半導体ウエハの主面上に均一な膜厚で窒化シリコン膜を堆積する。【解決手段】コールドウォール型の枚葉式熱CVD装置を使って、ゲート電極9A〜9Eのパターンが密な領域と疎な領域とを有する基板1上に窒化シリコン膜12を堆積する際、平坦な基板1上に窒化シリコン膜12を堆積する場合に比べてモノシラン(SiH4)に対するアンモニア(NH3)の流量比を大きくする。

請求項（抜粋）：

(a)シラン系ガスとアンモニアガスとを含む第1のソースガスを用いた熱CVD法によって、半導体基板の主面上に第1の窒化シリコン膜を堆積する工程と、(b)前記半導体基板の主面上に、パターン密度が疎な領域と密な領域とを有する複数の第1パターンを形成する工程と、(c)シラン系ガスとアンモニアガスとを含む第2のソースガスを用いた熱CVD法によって、前記複数の第1パターンが形成された前記半導体基板の主面上に第2の窒化シリコン膜を堆積する工程とを有し、前記第1のソースガスと前記第2のソースガスとは、前記シラン系ガスと前記アンモニアガスとの流量比が互いに異なることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/31 B , H01L 21/90 K , H01L 21/90 M

Fターム (52件)：

5F033HH04 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033KK25 , 5F033MM07 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033XX35 , 5F045AB33 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AE25 , 5F045CA05 , 5F045CB05 , 5F045CB10 , 5F045DP03 , 5F045EJ04 , 5F045GB13 , 5F058BA09 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF55 , 5F058BH07 , 5F058BH11 , 5F058BH15 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F058BJ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-359463 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-359463 出願人：株式会社東芝

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