半導体薄膜及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065772
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261839
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 GaAs(311)B面上に成長したp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)を含む半導体薄膜及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 (311)B面を主面とするGaAs基板上に形成され、炭素がドーピングされたp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)からなる。

請求項（抜粋）：

(311)B面を主面とするGaAs基板上に形成され、炭素がドーピングされたp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)からなることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 29/201

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 29/201

引用特許：

審査官引用 (2件)

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