成膜方法および基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-079485
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288899
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】基板処理装置の処理ガスの利用効率を向上させる【解決手段】被処理基板に成膜する成膜方法であって、前記被処理基板表面に処理ガスを吸着させる吸着工程を含み、前記吸着工程において前記処理ガスは前記被処理基板表面に沿って流れるように供給され、前記処理ガスが前記被処理基板に沿って流れる流速が50m/sec以上で音速程度以下であることを特徴とする成膜方法。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

被処理基板に成膜する成膜方法であって、前記被処理基板表面に処理ガスを吸着させる吸着工程を含み、前記吸着工程において前記処理ガスは前記被処理基板表面に沿って供給され、前記処理ガスが前記被処理基板に沿って流れる流速が50m/sec以上で音速程度以下であることを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/316

FI (3件)：

H01L21/31 B , C23C16/455 , H01L21/316 X

Fターム (31件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA43 , 4K030EA06 , 4K030GA06 , 4K030JA03 , 4K030JA08 , 4K030JA12 , 4K030KA02 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045BB08 , 5F045DP03 , 5F045EC01 , 5F045EE12 , 5F045EE20 , 5F045EF03 , 5F045EF04 , 5F045EF15 , 5F045EG02 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF37

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-279589
アルミニウム化合物の原子層成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-233107 出願人：凸版印刷株式会社, 柊元宏
特開平2-291114

全件表示

前のページに戻る