特許
J-GLOBAL ID:200903042662899844

ガス耐食性とプラズマ耐食性に優れるアルマイト皮膜形成性および耐熱性に優れた半導体製造装置用Al合金および半導体製造装置用材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 明田 莞
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-197148
公開番号(公開出願番号):特開平11-043734
出願日: 1997年07月23日
公開日(公表日): 1999年02月16日
要約:
【要約】【課題】 ガスやプラズマに対する耐食性および耐熱性に優れる構造を有するアルマイト皮膜を形成することができる半導体製造装置用Al合金を提供する。【解決手段】 合金成分として、Mn:0.3〜1.5%、Cu:0.3〜1.5%、Fe:0.1〜1.0%、を含有し、残部Alおよび不可避的不純物からなり、かつ平均結晶粒径が50μm 以下である半導体製造装置用Al合金およびこのAl合金表面にアルマイト皮膜を形成した半導体製造装置用材料である。
請求項(抜粋):
合金成分として、Mn:0.3〜1.5%、Cu:0.3〜1.5%、Fe:0.1〜1.0%、を含有し、残部Alおよび不可避的不純物からなり、かつ平均結晶粒径が50μm 以下であることを特徴とするガス耐食性とプラズマ耐食性に優れるアルマイト皮膜形成性および耐熱性に優れた半導体製造装置用Al合金。
IPC (6件):
C22C 21/12 ,  C22C 21/00 ,  C25D 11/04 308 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (6件):
C22C 21/12 ,  C22C 21/00 L ,  C25D 11/04 308 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

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