特許
J-GLOBAL ID:200903042668387381

クリーンルーム雰囲気中及び半導体基板表面上の不純物の分析方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 畑 泰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-261218
公開番号(公開出願番号):特開平11-101787
出願日: 1997年09月26日
公開日(公表日): 1999年04月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板表面並びにクリーンルーム雰囲気中のアミン、アンモニア及びアルカリ金属の同時分析法を提供する。【解決手段】 クリームルーム雰囲気中及び半導体基板表面の不純物2成分を捕獲するための吸収液5並びに抽出液12を効率よく捕獲するため純水または希酸に水溶性の有機溶剤を5-10体積%添加する。測定はイオンクロマトグラフィ10を用いるが使用するカラム12は架橋度が50%以上の耐有機溶剤性の陽イオン交換樹脂を使用し、溶離液11はメタンスルホン酸10mMに水溶性の有機溶剤が5-10体積%含有している。これにより、アミン、アンモニアおよびアルカリ金属の同時分析が可能となる。
請求項(抜粋):
純水又は希酸に対し5〜20体積%の有機溶剤を含有させて吸収液を生成し、この吸収液にクリーンルーム雰囲気中の不純物であるアンモニア、アミン類及びアルカリ金属類を吸収させることを特徴とするクリーンルーム雰囲気中の不純物の分析方法。
IPC (5件):
G01N 30/00 ,  G01N 1/22 ,  G01N 30/06 ,  G01N 30/26 ,  G01N 30/88
FI (5件):
G01N 30/00 G ,  G01N 1/22 L ,  G01N 30/06 Z ,  G01N 30/26 A ,  G01N 30/88 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 気体捕集装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-263530   出願人:シャープ株式会社
  • 特開昭56-039461
  • 試料抽出方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-238140   出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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