大出力用半導体レーザ素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：碓氷裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138540
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162488
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 P型電極としてCr/Pt/Au電極及びCr/Ni/Au電極の一方を採用し、熱に強く高い信頼性を有し、長期安定性のある電極構成を有する大出力用半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】ストライプ41が100μm以上の幅を有するようにN型基板10上にエピタキシャル層20を介し形成されたP型電極40を備えてなる大出力用半導体レーザ素子において、P型電極40が、Cr/Pt/Auからなる三層の電極により構成されている。

請求項（抜粋）：

ストライプ幅(41)が100μm以上であるP型電極(40)を備えてなる大出力用半導体レーザ素子において、前記P型電極が、Cr/Pt/Au及びCr/Ni/Auのうち、どちらか一方からなる三層の電極により構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-088689
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-004518 出願人：松下電子工業株式会社
特開平3-203284

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