特許

J-GLOBAL ID：200903042701387597

絶縁膜の平坦化方法

発明者： 橋 本 毅
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237140
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084902
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】完全に平坦な表面を有する層間絶縁膜が得られ、絶縁膜の表面の凹凸に起因する接続不良や配線の断線、ショート等を防止することができ、歩留りの向上に有効な絶縁膜の平坦化方法の提供。【構成】半導体基板上に形成された層間絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施して、層間絶縁膜の表面を平坦化する方法であって、第1の絶縁膜を形成し、さらに該第1の絶縁膜の上に、第1の絶縁膜よりもポリシング速度が遅い第2の絶縁膜を形成して、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を構成した後、層間絶縁膜の一部をメカノケミカルポリシングする工程を有する絶縁膜の平坦化方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された層間絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施して、層間絶縁膜の表面を平坦化する方法であって、第1の絶縁膜を形成し、さらに該第1の絶縁膜の上に、第1の絶縁膜よりもポリシング速度が遅い第2の絶縁膜を形成して、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を構成した後、層間絶縁膜の一部をメカノケミカルポリシングする工程を有する絶縁膜の平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-114242
  
• 半導体装置を平坦化する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-275904   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション