特許

J-GLOBAL ID：200903042712616784

メモリ素子およびその製造方法

発明者： 井上 敦央
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347080
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116682
出願日： 2003年10月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 大量に集積することが容易で、安価に実現可能であり、しかも信頼性の高いメモリ素子とその製造技術を提供すること。【解決手段】 前記の課題を解決するためになされた本発明のメモリ素子では、基板に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された、メモリ機能を有する有機化合物を含む層が微粒子の表面に形成された複合微粒子と、該複合微粒子を介して配置された第2の電極から構成されることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、該第1の電極上に配置された、メモリ機能を有する有機化合物を含む層が微粒子の表面に形成された複合微粒子と、該複合微粒子を介して配置された第2の電極から構成されることを特徴とするメモリ素子。

IPC (2件)：

H01L27/10 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L29/28

Fターム (9件)：

5F083FZ07 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強誘電体メモリ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-314508   出願人：オリンパス光学工業株式会社