特許

J-GLOBAL ID：200903042715580853

薄膜成長装置及びこれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者： 武石 英見 ,  亀井 英徳 ,  奥 保成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310323
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149992
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 基板温度を速やかに変化させることが可能で、結晶成長中断時における結晶表面の変化を抑制し、かつ多層膜からなる化合物半導体の成膜時間を短縮することが可能な薄膜成長装置及びこれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明の薄膜成長装置は、成長室1と、成長室1内に配設された基板ホルダー2と、基板ホルダー2を加熱する基板ヒーター3と、を有する薄膜成長装置において、基板ホルダー2と基板ヒーター3の距離を制御できる距離制御手段を備えた構成よりなる。また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、本発明の薄膜成長装置を用いて組成比の異なるAlInGaN層を積層する際に、Inの組成比が大きいほど基板ホルダーと基板ヒーターの距離を遠くする構成よりなる。

請求項（抜粋）：

成長室と、前記成長室内に配設された基板ホルダーと、前記基板ホルダーを加熱する基板ヒーターと、を有する薄膜成長装置において、前記基板ホルダーと前記基板ヒーターの距離を制御できる距離制御手段を備えたことを特徴とする薄膜成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-115918   出願人：株式会社日立製作所