特許

J-GLOBAL ID：200903042751281803

絶縁薄膜の形成方法

発明者： 見方 裕一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031818
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 膜厚が薄く均一である絶縁薄膜の形成方法を提供する。【構成】 500°Cのもとで0.0008μm厚の第1の非晶質シリコン膜を基板上部の0.0015μm厚の第1の窒化シリコン膜14の上に堆積する堆積工程と、堆積された第1の非晶質シリコン膜をNH3 に晒しながら、500°Cから800°Cまで上げて0.0015μm厚の第2の窒化シリコン膜16にする窒化工程と、再び500°Cのもとで第2の窒化シリコン膜16の上に0.0008μm厚の第2の非晶質シリコン膜を堆積する堆積工程と、これをNH3 に晒しながら、500°Cから800°Cまで上げて0.0015μm厚の第3の窒化シリコン膜18にする窒化工程と繰り返すことによって、合計0.0045μm厚の均一な窒化シリコン膜19でなる絶縁薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

非単結晶シリコン膜を基板上に堆積する堆積工程と、この堆積工程で非単結晶シリコン膜を堆積させた後、該非単結晶シリコン膜表面の酸素密度が1×1015atm/cm2 以下となるようにした状態で窒素を含むガスに前記基板を晒すと共に、この基板の温度を非晶質シリコンが結晶化する温度に昇温して前記非単結晶シリコン膜を窒化シリコン膜にする窒化工程とを有することを特徴とする絶縁薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007638   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-286426