特許
J-GLOBAL ID：200903042775179538
半導体式圧力センサとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085444
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284204
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】ダイアフラムを少ない工程で安価に封止し、残留応力による歪みを低減することにより、測定誤差を低減し安価で浮遊容量やリーク電流が少なく良好な特性で安定した信頼度の高い圧力センサ構造を提案する。【解決手段】前記課題を解決するための手段として、半導体基板表面に0.1ないし1.3μmのほぼ一定の空隙で配した、残留応力による変形低減手段である段差構造を有する多結晶シリコンダイアフラムをLPCVD法により堆積した酸化シリコン膜で封止しかつダイアフラムを完全に被覆した。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板表面に固定する足場部分を有し、圧力の変化に応じて変位するダイアフラムと、を備えた半導体式圧力センサにおいて、前記半導体基板表面と前記ダイアフラムとの間を0.1ないし1.3μmのほぼ一定の空隙とし、LPCVD法により堆積された酸化シリコン膜によって、前記空隙を気密封止したことを特徴とする半導体式圧力センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, H01L 29/84 Z
, G01L 9/04 101
