特許

J-GLOBAL ID：200903042807407023

バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素

発明者： カーター,カルヴィン・エイチ,ジュニアー ,  ブレイディ,マーク ,  ツヴェトコフ,ヴァレリ・エフ
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-620157
公開番号（公開出願番号）：特表2003-500321
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2003年01月07日
要約：

【要約】室温で少なくとも5000Ω・cmの抵抗率と、結晶の抵抗率に影響を及ぼす量に満たない、好ましくは検出可能レベル未満である、深準位捕獲元素の濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を開示する。また、本発明にしたがう基板を用いて形成されるデバイスのマイクロ波周波数可能出力を利用する得られるいくつかのデバイスと共に、前記結晶を形成する方法も開示する。

請求項（抜粋）：

室温で少なくとも5000Ω・cmの抵抗率と、結晶の電子的特性に影響を及ぼす量に満たない深準位捕獲元素濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/163

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077SA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GQ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-149017
  
• 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-115878   出願人：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢