特許

J-GLOBAL ID：200903042807794507

固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子

発明者： 大木 洋昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189355
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040794
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 HAD構造のセンサ部を有する固体撮像素子では、正孔蓄積層を構成する不純物が信号転送部側の転送電極下に拡散し、信号電荷の読み出し特性を悪化させ、スミアを増大させる。【解決手段】 センサ部5上に開口部14aを有する転送電極14を基板11上に形成し、センサ部5の表面側に信号電荷蓄積層15を形成する。その後、センサ部5上の信号転送部3側をマスク6で覆ってセンサ部5における基板11の表面層に対して1回目のイオン注入を行い、信号電荷蓄積層15の表面層にP型不純物を導入する。また、センサ部5における信号転送部3側を露出させて、センサ部5における基板11の表面層に対して1回目のイオン注入よりも注入ドーズ量及び注入エネルギーを低く抑えて2回目のイオン注入を行い、信号電荷蓄積層15の表面層にP型不純物を導入し、P型の正孔蓄積層16を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の表面側における信号転送部との間に間隔を設けて当該基板の表面側に配置されるセンサ部に信号電荷蓄積層を形成し、当該信号電荷蓄積層上における前記基板の表面層に正孔蓄積層を形成する固体撮像素子の製造方法において、前記センサ部上における前記信号転送部側をマスクで覆った状態で当該センサ部の表面層にイオン注入を行うことによって、前記正孔蓄積層を形成するための不純物を前記センサ部における基板の表面層に導入する工程と、前記信号転送部側の前記センサ部を露出させた状態で当該センサ部の表面層にイオン注入を行うことによって、前記正孔蓄積層を形成するための不純物を前記センサ部における基板の表面層に導入する工程とを行うことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-202348   出願人：シャープ株式会社
• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-094920   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-266063