特許

J-GLOBAL ID：200903042818640455

不揮発性半導体装置およびその製造方法

発明者： 竹内 信善
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281999
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213572
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】異なる機能を支障なく発揮できる不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】メモリセルアレイは第1ブロックおよび第2ブロックに分割されている。第1ブロックの第1型メモリセル14において、フローティングゲート26の上に設けられたキャップ28は短く、第1型メモリセル14のゲートカップル比は小さく、マスクROM的な特性を有する。一方、第2ブロックの第2型メモリセルにおいてキャップは長く、第2型メモリセルのゲートカップル比は大きく、プログラム特性に優れている。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルが並べられたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置であって、前記複数のメモリセルが異なるゲートカップル比を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-033649   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-228377
  
• 特開平3-228377