絶縁材料形成用組成物および絶縁膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276397
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269402
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】低い誘電率の絶縁材料を形成できる化合物、該化合物を含有する絶縁材料形成用組成物、該組成物より得られる絶縁材料を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物、その加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。【化1】一般式(1)中、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。ただし、R1〜R8で表される基のうち少なくとも1つは、置換基として下記一般式(2)で表わされる基を有するアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。【化2】一般式(S2)中、Xは加水分解性基を表し、R9はアルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。mは1〜3の整数を表わす。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される化合物、その加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。

IPC (6件)：

H01B 3/46 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , C08G 77/04 , C08G 77/06 , C07F 7/21

FI (6件)：

H01B3/46 C , H01L21/312 C , H01L21/316 G , C08G77/04 , C08G77/06 , C07F7/21

Fターム (88件)：

4H049VN01 , 4H049VP08 , 4H049VP09 , 4H049VQ57 , 4H049VQ77 , 4H049VQ78 , 4H049VQ88 , 4H049VR21 , 4H049VR43 , 4H049VU26 , 4J246AA03 , 4J246AB07 , 4J246BA110 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BA210 , 4J246BA220 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB021 , 4J246BB130 , 4J246BB14X , 4J246BB140 , 4J246CA01U , 4J246CA01X , 4J246CA010 , 4J246CA050 , 4J246CA14M , 4J246CA14X , 4J246CA140 , 4J246CA230 , 4J246CA24M , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA250 , 4J246CA34M , 4J246CA34U , 4J246CA34X , 4J246CA350 , 4J246CA390 , 4J246CA410 , 4J246FA031 , 4J246FA071 , 4J246FA081 , 4J246FA131 , 4J246FA151 , 4J246FA222 , 4J246FA431 , 4J246FA711 , 4J246FB041 , 4J246FB051 , 4J246FB071 , 4J246FB221 , 4J246FB231 , 4J246FC111 , 4J246FC131 , 4J246FC141 , 4J246FC162 , 4J246FE04 , 4J246FE07 , 4J246FE25 , 4J246GB04 , 4J246GC52 , 4J246GD08 , 4J246GD09 , 4J246HA62 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BJ02 , 5G305AA06 , 5G305AA11 , 5G305AB01 , 5G305AB10 , 5G305BA04 , 5G305CA26 , 5G305CD12 , 5G305DA22

引用特許：

出願人引用 (1件)

絶縁膜形成材料、並びにこれを用いた絶縁膜形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-196064 出願人：富士通株式会社

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