特許
J-GLOBAL ID：200903042836216180
透明導電膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079645
公開番号（公開出願番号）：特開平8-171824
出願日： 1994年03月27日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】ZnO系透明導電膜の持っている欠点をカバーできる、熱的、あるいは酸・アルカリに対する化学的安定性に優れ、低抵抗で高い可視光透過率を有する新しい透明導電膜を低温基板上に作製できる技術を提供する。【構成】本発明で採用しているSnO2の導入範囲内であれば、抵抗率1×10-2Ωcm以下、 可視光透過率80%以上、そしてZnOの化学的安定性を大幅に向上させた新しい透明導電膜を実現できる。この組成範囲を採用することにより新規なエッチング特性を有し苛酷な環境下でも充分耐えられる透明導電膜や保護膜を提供できる。また、ZnO-SnO2系酸化物あるいは3元系化合物から成るターゲットを用いて不活性ガス、例えば窒素、アルゴン等の雰囲気ガスに酸素ガスを微量に混入させて、その分圧を制御しスパッタ成膜することにより本発明の目的を達成することができる。本発明では該不活性ガスの全圧に対し、酸素ガス分圧が1/102〜1/104の範囲内で所望の値になるように制御し、膜形成を行なうことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
【請求項 1】亜鉛(Zn)と錫(Sn)を含む合金または酸化物から成るターゲットを用いて、不活性ガスと酸化性ガスから成る混合ガス雰囲気中でスパッタすることにより基体上にZn2SnO4あるいはZnSnO3を主成分とする薄膜を形成してなることを特徴とする透明導電膜の製造方法。【請求項 2】前記不活性ガスの圧力に対する導入酸化性ガスの圧力比を1/102〜1/104の範囲で制御してスパッタすることにより基体上にZn2SnO4あるいはZnSnO3を主成分とする薄膜を形成してなることを特徴とする請求項1記載の透明導電膜の製造方法。【請求項 3】ZnおよびSn原料を含む、またはそれらの原料にド-パントとしてフッ素(F)を含む揮発性化合物および酸化剤または酸化促進剤をすべて個別容器に装填封入した後、該容器の導入口へ空気または窒素もしくはアルゴンを搬送ガスとして供給し、該容器内を通過させた後、または導入口を閉じたまま、原料あるいは添加物を含んだガスを排出口から引き抜き、連続的または間欠的に反応炉へ導く化学気相結晶成長(CVD)法により基体上にZn2SnO4あるいはZnSnO3を主成分とする薄膜を形成してなることを特徴とする透明導電膜の製造方法。【請求項 4】前記揮発性化合物が少なくとも一種の亜鉛または錫を含むハロゲン化物、錯塩もしくは錯体化合物であり、それらと同時に酸化剤もしくは酸化促進剤として空気、水または過酸化水素もしくはそれらの混合気体を用いることにより基体上に該膜を形成してなることを特徴とする請求項3記載の透明導電膜の製造方法。【請求項 5】基体上に形成する該透明導電膜の抵抗率が1×10-2Ωcm以下、 およびその可視光透過率が80%以上の値を有することを特徴とする請求項1、2、3または4記載の透明導電膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01B 13/00 503
, C01G 19/02
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, C23C 16/40
, H01B 5/14
