特許

J-GLOBAL ID：200903042836995848

有機樹脂層の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326999
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172965
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 有機樹脂層を基体上に形成する場合に、半導体ウェハ等である基体が段差を有するような場合も、下地段差に依存せずに平坦性良く成膜することができ、層間絶縁膜としても有用な有機樹脂層の形成方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基体11上にプラズマ成膜手段により有機樹脂層を形成する際に、プラズマの発生をパルス状に繰り返すことにより成膜する有機樹脂層の形成方法、及びこの有機樹脂層により絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基体上にプラズマ成膜手段により有機樹脂層を形成する有機樹脂層の形成方法において、プラズマの発生をパルス状に繰り返すことを特徴とする有機樹脂層の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/312 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320911   出願人：東京エレクトロン株式会社