特許
J-GLOBAL ID：200903075494269568
プラズマ成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320911
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144675
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの層間絶縁膜として有効なCF膜を成膜する方法を提供すること。【解決手段】 成膜ガスとして例えばCn Fm ガス及びCk Hs ガス(m、n、k、sは整数)を用い、例えば電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマを発生させ、載置台3上に比誘電率が3.0以下好ましくは2.5以下のCF膜を成膜する。n、m,k、sは、比誘電率膜の密着性及び硬さを考慮して決定する。CF系ガスとしては二重結合あるいは三重結合のガス、またはCF基がCの4つの結合手に結合しているものが望ましい。更にC、H、Fを含むガス例えばCHF系のガスを添加することが望ましい。
請求項（抜粋）：
少なくともCn Fm ガス及びCk Hs ガス(n、m、k、sは整数)を含む成膜ガスにエネルギーを与えてプラズマ化し、被処理体上にフッ素添加カ-ボン膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/314 A
, H01L 21/31 C
