特許

J-GLOBAL ID：200903042859485090

半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置

発明者： 坂本 正幸 ,  中尾 稔 ,  高島 浩一 ,  大石 利男 ,  小林 弘典
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003337
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206016
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 パワーデバイスのような高熱伝導性を要求される封止用途において、低応力性とニッケルメッキフレームへの接着性に優れ、デバイスとしての信頼性を向上させることができる半導体封止用樹脂組成物、および半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂と、ノボラック型エポキシ樹脂を混合した混合物、(B)チオール基含有するカップリング剤、(C)結晶性シリカを必須成分として含有する。(A)成分としてのエポキシ樹脂混合物中のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂の含有量を、混合物総量の10〜50重量%の範囲にすることが好ましく、(B)成分としてのカップリング剤として、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシランを用いることが好ましい。上記半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

下記の各成分を含有する半導体封止用樹脂組成物。(A)ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂と、ノボラック型エポキシ樹脂との混合物(B)チオール基を含有するカップリング剤(C)結晶性シリカ

IPC (4件)：

C08G 59/02 ,  C08G 59/66 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

C08G 59/02 ,  C08G 59/66 ,  H01L 23/30 R

Fターム (28件)：

4J036AF06 ,  4J036AK01 ,  4J036DA04 ,  4J036DC02 ,  4J036DC41 ,  4J036DD02 ,  4J036DD07 ,  4J036DD08 ,  4J036FA01 ,  4J036FA05 ,  4J036FB08 ,  4J036GA06 ,  4J036GA28 ,  4J036JA07 ,  4J036KA05 ,  4J036KA06 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB13 ,  4M109EC06 ,  4M109GA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• エポキシ樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192096   出願人：松下電工株式会社
• 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-277481   出願人：松下電工株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-009101   出願人：日東電工株式会社
• エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-146335   出願人：株式会社東芝