特許

J-GLOBAL ID：200903042911537036

III族窒化物膜の製造方法

発明者： 中野 由崇 ,  加地 徹
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347234
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 転位が少なく高品質な単結晶のIII族窒化物膜を実現する。【解決手段】 本発明を具現化した方法は次の(1)〜(3)の工程を有する。(1)III族窒化物膜(窒化ガリウム膜等)を、そのIII族窒化物膜とは格子定数が異なる材料(サファイア等)からなる基板上に成長させる。(2)成長させたIII族窒化物膜に、注入領域の結晶化率が25%以上75%以下となるようにイオン注入する。(3)イオン注入後のIII族窒化物膜を熱処理する。以上の(1)〜(3)の工程を行うと、図のIII族窒化物膜22のイオン注入領域26に、転位が少なく高品質な単結晶膜を実現することができる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物膜を、そのIII族窒化物膜とは格子定数が異なる材料からなる基板上に成長させる工程と、成長させたIII族窒化物膜に、注入領域の結晶化率が25%以上75%以下となるようにイオン注入する工程と、イオン注入後のIII族窒化物膜を熱処理する工程を有することを特徴とするIII族窒化物膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 601 ,  C30B 1/04 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/265 601 Q ,  C30B 1/04 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (28件)：

4G077AA04 ,  4G077BE15 ,  4G077CA04 ,  4G077EF01 ,  4G077JA03 ,  4G077JB07 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F052AA11 ,  5F052CA04 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052DB06 ,  5F052EA01 ,  5F052EA15 ,  5F052HA03 ,  5F052HA06 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05