特許
J-GLOBAL ID:200903042921822650

基板の導体層の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-042409
公開番号(公開出願番号):特開平9-246719
出願日: 1996年02月29日
公開日(公表日): 1997年09月19日
要約:
【要約】【課題】 スル-ホ-ルまたはバイアホ-ルを有する基板表面上の導体層の厚さを薄くしつつ、かつスル-ホ-ルまたはバイアホ-ル内の導体層の厚さを十分に厚くすることのできる、導体層の形成方法を提供する。【解決の手段】 本発明の方法は、表面および少なくとも1つのスル-ホ-ルまたはバイアホ-ルを有する基板を準備するステップと、表面およびスル-ホ-ルまたはバイアホ-ルの内に第1の導体層を形成するステップと、表面上の第1の導体層を除去するステップと、第1の導体層が除去された表面および上記第1の導体層が形成されたスル-ホ-ル内に第2の導体層を形成するステップと、を含む。
請求項(抜粋):
基板に導体層を形成する方法であって、2つの表面および少なくとも1つのスル一ホ一ルを有する基板を準備するステップと、上記2つの表面上およびスル一ホ一ルの内壁表面上に第1の導体層を形成するステップと、上記2つの表面上に形成された第1の導体層を除去するステップと、上記第1の導体層が除去された2つの表面上および上記スル一ホ一ルの内壁表面上に形成された第1の導体層上に第2の導体層を形成するステップと、を含む方法。
引用特許:
審査官引用 (2件)

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