シリコンウエーハの製造方法及びそれにより製造されたシリコンウエーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125298
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311025
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】ゲッタリング能力が高く、ゲッタリング効果の持続性が長い上、パーティクルの発生が抑制されたシリコンウエーハを、容易にかつ低コストで製造することができるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 , B24B7/22

FI (3件)：

H01L21/304 611Z , H01L21/304 631 , B24B7/22 Z

Fターム (2件)：

3C043BB00 , 3C043CC04

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許3274810号公報

審査官引用 (4件)

半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-140108 出願人：コマツ電子金属株式会社
特開昭54-004064
特開昭54-004064

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