特許
J-GLOBAL ID：200903042927760444
MOSトランジスタの特性表現方法、半導体回路特性解析方法及び半導体回路特性解析装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178796
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102608
出願日： 1996年07月09日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタを含む半導体回路の動作特性を短時間で且つ高精度に評価できる特性解析方法を提供する。【解決手段】 MOSトランジスタのドレイン・ソース間の接続を、電流源と抵抗素子との並列回路で表現し、前記電流源の電流の大きさiを、ゲート・ソース間電圧VGSと閾値VT との差(VGS-VT )の多項式で表現すると共に、このMOSトランジスタの動作領域をゲート・ソース間電圧及びドレイン・ソース間電圧に応じて複数の動作領域に分割し、この各動作領域毎に前記多項式中の係数及び前記抵抗素子の導電率の値が個別に記憶され、更に、前記閾値VT が、MOSトランジスタのサブストレート・ソース間電圧VBSの多項式で表現されるMOSトランジスタモデルを用意する。このMOSトランジスタモデルを用いて、MOSトランジスタを含む半導体回路の回路方程式を、導出し、解析する。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタを含む半導体回路の動作特性の解析に使用するMOSトランジスタモデルによりMOSトランジスタの動作特性を表現するMOSトランジスタの特性表現方法であって、前記MOSトランジスタモデルは、前記MOSトランジスタのドレイン・ソース間の接続を、電流源と抵抗素子との並列回路で表現すると共に、前記電流源の電流の大きさiを前記MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧VGSと閾値VT との差(VGS-VT )の多項式で表現し、更に、前記MOSトランジスタの動作領域を前記MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧及びドレイン・ソース間電圧により複数の動作領域に分割し、前記各動作領域毎に、前記電流源の電流の大きさiの多項式に含まれる係数及び前記抵抗素子の導電率が個別の値を持ち、前記閾値VT が前記MOSトランジスタのサブストレート・ソース間電圧の多項式で表現されることを特徴とするMOSトランジスタの特性表現方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, G06F 17/50
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 T
, G06F 15/60 662 G
, H01L 29/78 301 Z
