特許

J-GLOBAL ID：200903042931639722

浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置

発明者： 島田 喬
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-035478
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221208
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 データを書き込む際に浮遊ゲートから制御ゲートへキャリアが引き抜かれることを防止し、且つデータを読み出す際に消去状態であると誤認されることを防止する。【構成】 書き込み電圧が低くても、閾値電圧の低いチャネル領域21aでデータの書き込みを行うことができる。一方、チャネル領域21aは、閾値電圧の高いチャネル領域21bとソース12/ドレイン13間で直列に配置されているので、データの過消去によってチャネル領域21aがデプレション型になっても、チャネル領域21bをエンハンスメント型にしてメモリセルをエンハンスメント型にすることができる。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲートが制御ゲートに容量結合され、半導体基板中のチャネルからゲート絶縁膜を介して前記浮遊ゲートへキャリアを注入することによってデータを書き込み、前記浮遊ゲートから前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板へ前記キャリアを引き抜くことによって前記データを消去する浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートに前記キャリアが注入されていない状態における閾値電圧が互いに異なる複数の領域からチャネル領域が成っていることを特徴とする浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-034579
  
• 半導体記憶装置およびその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293103   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平2-308571