特許
J-GLOBAL ID:200903042940020883

固体中の欠陥測定方法および欠陥測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-146906
公開番号(公開出願番号):特開2004-349582
出願日: 2003年05月23日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】半導体結晶、半導体ナノ結晶などの固体中に微量に存在する格子欠陥のサイズを求めかつ格子欠陥分布をイメージングでき、デバイスの光応答性能を決める電気伝導特性の評価に適応できる固体中の欠陥測定方法を提供する。【解決手段】フェムト秒パルスレーザを用いたポンプ&プローブ分光法により励起されたコヒーレントフォノンあるいは光励起キャリアの緩和時間を測定し、τ=1/Ntσvth(τはコヒーレントフォノン(光励起キャリア)の緩和時間、Ntは欠陥密度、σは散乱断面積、vthは熱拡散速度)の式を用いて、格子欠陥のサイズを求め、さらにポンプ光とプローブ光を固体試料に集光するレンズとして顕微鏡対物レンズを用い、固体試料をX-Yステージで二次元走査しながら反射率変化を測定し、反射率変化の振動振幅あるいは信号強度、またはコヒーレントフォノンあるいは光励起キャリアの緩和時間を二次元でプロットする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
フェムト秒パルスレーザをポンプ光およびプローブ光として用い、それらポンプ光およびプローブ光の少なくとも一方を光学遅延回路で時間遅延し、固体試料へのレンズでの集光によるポンプ光照射によって固体試料中に位相が揃った格子振動であるコヒーレントフォノンを励起し、その固体試料への前記レンズでの集光によるプローブ光照射で固体試料の反射率変化を測定することで、その反射率変化における振動振幅の減衰時間に対応する励起されたコヒーレントフォノンの緩和時間を求め、 τp=1/Ntσvth (τpはコヒーレントフォノンの緩和時間、Ntは欠陥密度、σは散乱断面積、vthは熱拡散速度) の式を用いて、散乱断面積σを求めることにより格子欠陥のサイズを求めることを特徴とする固体中の欠陥測定方法。
IPC (3件):
H01L21/66 ,  G01N21/00 ,  G01N21/27
FI (3件):
H01L21/66 N ,  G01N21/00 B ,  G01N21/27 A
Fターム (22件):
2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059FF01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG06 ,  2G059GG08 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ20 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059MM03 ,  2G059MM08 ,  2G059MM10 ,  2G059PP04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB19 ,  4M106DB09 ,  4M106DH38

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