特許
J-GLOBAL ID:200903042950213795
半導体用パッケージ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-072253
公開番号(公開出願番号):特開平8-330474
出願日: 1996年03月27日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【課題】 PGAやBGA等の半導体用パッケージにおいて、半導体素子の高集積化に伴う入出力信号数の増加、および半導体素子からの発熱量の増大に対応させた上で、 GHzを超えるような高周波信号の伝送特性を向上させると共に、そのばらつきを低減する。【解決手段】 半導体素子の搭載面2aと端子形成面2bを有すると共に、半導体素子に電気的に接続される内部配線層5が設けられた窒化アルミニウム多層基板等のセラミックス多層基板2を具備する。セラミックス多層基板2の端子形成面2bには、内部配線層5と電気的に接続された入出力端子群3が配列されている。入出力端子群3は、信号端子4a、4c、グランド端子4bおよび電源端子4dを有する。これらのうち、信号端子4a、4cは少なくとも 1つのグランド端子4bまたは電源端子4dと隣接して配列されている。
請求項(抜粋):
半導体素子の搭載面と端子形成面とを有し、半導体素子と電気的に接続される内部配線層を有するセラミックス多層基板と、前記内部配線層と電気的に接続されると共に、前記セラミックス多層基板の端子形成面に設けられ、信号端子、グランド端子および電源端子を有する入出力端子群とを具備し、前記信号端子のうち主な信号端子は、少なくとも 1つの前記グランド端子または電源端子と隣接して配列されていることを特徴とする半導体用パッケージ。
IPC (2件):
FI (5件):
H01L 23/12 E
, H01L 23/12 P
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 C
, H01L 23/12 Q
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-205054
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電子部品収納用パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-203646
出願人:京セラ株式会社
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半導体パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-306923
出願人:株式会社東芝
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