半導体装置の実装方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-263927
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122591
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】バンプの変形に伴う機械的応力による不具合を回避することができる半導体装置の実装方法を提供することにある。【構成】 ICチップ2には低融点金属よりなるはんだバンプ6が形成されている。ICチップ2と対向するガラス基板1側には、熱圧着温度にて硬化する熱硬化性樹脂膜8が予め配置されている。そして、ガラス基板1上にICチップ2を配置、つまり、熱硬化性樹脂膜8を挟んでICチップ2とガラス基板1とを配置する。この状態から、熱圧着温度に加熱するとともに荷重をかけ熱硬化性樹脂膜8の硬化温度において硬化前にはんだバンプ6の塑性変形を開始し、はんだバンプ6の塑性変形の終了前に熱硬化性樹脂膜8の硬化を開始する。このようにして、熱圧着によりはんだバンプ6を塑性変形させながら接合する。

請求項（抜粋）：

半導体チップに形成した低融点金属よりなるバンプを基板上に配置し、熱圧着により前記バンプを塑性変形させながら接合するようにした半導体装置の実装方法において、前記半導体チップと対向する基板側に、熱圧着温度にて硬化する熱硬化性樹脂膜を予め配置し、この熱硬化性樹脂膜を挟んで半導体チップと基板とを配置し、熱硬化性樹脂膜の硬化温度において硬化前にバンプの塑性変形を開始し、バンプの塑性変形の終了前に熱硬化性樹脂膜の硬化を開始するようにしたことを特徴とする半導体装置の実装方法。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-222339
特開平3-016147
特開平3-030350

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