半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110566
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297324
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】良好な光学的特性を有しかつ生産性の良い半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】基板1とその基板1上に搭載された半導体素子3とそれら基板1と半導体素子3とを一体に封止する封止部4とからなる半導体装置において、上記封止部4を、チクソ性樹脂からなりかつ半導体素子3を囲む状態で所定の高さに形成された樹脂ダム8と、その樹脂ダム8内で半導体素子3を覆う状態に充填された光透過性樹脂9からなるようにする。

請求項（抜粋）：

基板と、その基板上に搭載された半導体素子と、前記基板と前記半導体素子とを一体に封止する封止部とからなる半導体装置において、前記封止部は、チクソ性樹脂からなりかつ前記半導体素子を囲む状態で所定の高さに形成された樹脂ダムと、該樹脂ダム内で前記半導体素子を覆う状態に充填された光透過性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 23/30 B , H01L 23/30 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-253315
特開昭64-011354
特開平1-300531

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