特許

J-GLOBAL ID：200903042974769417

III-V族化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 島岡 五朗 ,  宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133989
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330550
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 窒素組成比が相違する複数のIII-V族化合物半導体結晶領域からなる量子構造を構成するのに適したIII-V族化合物半導体ヘテロ接合構造を形成することができ、また、従来のような煩雑な方法を用いることなく、III-V族化合物半導体層の内部に選択的に禁止帯幅が相違する領域を有する低次元の量子構造を容易に得ることができるIII-V族化合物半導体素子の製造方法及びそれにより得られたIII-V族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体からなる第1の結晶領域24中の選択した領域を、その第V族原子の一部または全部を窒素原子で置換してなる第2の結晶領域24aとし、この第2の結晶領域24aと、この第2の結晶領域24aを囲繞する第1の結晶領域24とにより、ヘテロ接合構造を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体からなるヘテロ接合構造を備えた半導体素子であって、III-V族化合物半導体からなる第1の結晶領域中の選択した領域を、その第V族原子の一部または全部を窒素原子で置換してなる第2の結晶領域とし、この第2の結晶領域と、この第2の結晶領域を囲繞する前記第1の結晶領域とにより、ヘテロ接合構造を形成したことを特徴とするIII-V族化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒素化合物結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235721   出願人：助川徳三
• 特開昭62-036886