特許

J-GLOBAL ID：200903042975073580

n型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法

発明者： 山本 哲也 ,  吉田 博 ,  西松 毅
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050106
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247624
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】低抵抗のn型単結晶ダイヤモンドを得る。【解決手段】真空チャンバ1内に基板2を設置し、この基板2にCの原子状ガスを供給するとともに、この基板2に向けて、p型ドーパントであるBとn型ドーパントであるNを同時に流しながら、300°C〜650°Cでn型単結晶ダイヤモンド薄膜6を結晶成長させる。

請求項（抜粋）：

n型ドーパントとp型ドーパントを含有しているn型単結晶ダイヤモンド。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/04

FI (3件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/04 R