特許
J-GLOBAL ID：200903042990775036
合成ゼオライト薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-321527
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：
【要約】【目的】 セラミックス多孔質基質上に直接合成ゼオライト層を形成させる方法であって、ゼオライト層の膜厚をより薄くせしめることのできる合成ゼオライト薄膜の形成方法を提供する。【構成】 SiO2、Al2O3、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物および水よりなる合成母液中にセラミックス多孔質基質を浸漬した後、耐圧容器中に封入し、0.5〜5°C/分の昇温速度で水熱合成温度迄昇温させ、160〜200°Cの水熱合成温度に保持して、セラミックス多孔質基質上へ合成ゼオライト薄膜を形成させる。
請求項（抜粋）：
SiO2、Al2O3、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物および水よりなる合成母液中にセラミックス多孔質基質を浸漬した後、耐圧容器中に封入し、0.5〜5°C/分の昇温速度で水熱合成温度迄昇温させ、160〜200°Cの水熱合成温度に保持することを特徴とするセラミックス多孔質基質上への合成ゼオライト薄膜の形成方法。
引用特許：
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