特許
J-GLOBAL ID:200903043000961791

チップ抵抗器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 石井 暁夫 ,  東野 正 ,  西 博幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-047518
公開番号(公開出願番号):特開2004-259864
出願日: 2003年02月25日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
【課題】絶縁基板2に、抵抗膜5と、その両端の上面電極4と、前記抵抗膜のカバーコート6を形成し、前記両上面電極の上面に、補助上面電極7を形成する一方、前記絶縁基板の左右両側面に、側面電極8を形成し、更に、前記補助上面電極及び側面電極の表面に、半田付け用メッキ層9を、ニッケルメッキ層10を下地として形成して成るチップ抵抗器1において、前記上面電極4に大気中の硫黄成分等で腐食が発生することを、前記ニッケルメッキ層有無の検査が磁石にてできる状態のもとで、防止する。【解決手段】前記側面電極8を、非磁性の導電樹脂ペーストにて形成する一方、前記補助上面電極7を、カーボン系の導電樹脂ペーストにて形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
チップ型にした絶縁基板の上面に、抵抗膜と、その両端に繋がる銀系導電ペーストによる上面電極を形成するとともに、前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成し、更に、前記両上面電極の上面に、補助上面電極を前記カバーコートに対して一部重なるように形成する一方、前記絶縁基板の左右両側面に、側面電極を少なくとも前記上面電極及び前記補助上面電極に電気的に繋がるように形成し、更に、前記補助上面電極及び側面電極の表面に、錫又は半田等の半田付け用メッキ層を、ニッケルメッキ層を下地として形成して成るチップ抵抗器において、 前記側面電極を、非磁性の導電樹脂ペーストにて形成する一方、前記補助上面電極を、カーボン系の導電樹脂ペーストにて形成することを特徴とするチップ抵抗器
IPC (1件):
H01C7/00
FI (1件):
H01C7/00 B
Fターム (5件):
5E033BA01 ,  5E033BC01 ,  5E033BE01 ,  5E033BG02 ,  5E033BH01
引用特許:
審査官引用 (8件)
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