特許

J-GLOBAL ID：200903043031168631

固体撮像装置

発明者： 堀 幹子 ,  塩山 善之 ,  安部 征吾 ,  猪熊 英幹 ,  柴田 英紀 ,  眞壁 晃 ,  野町 映子 ,  成瀬 宏 ,  井上 郁子 ,  松長 誠之 ,  井原 久典 ,  中村 信男 ,  山口 鉄也 ,  山下 浩史 ,  野崎 秀俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091552
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、CMOSイメージセンサにおいて、サーフェスシールド構造を採用する場合にも、フォトダイオード層内の電荷を低い電圧で読み出すことができるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、フォトダイオード層16の表面に、読み出しゲート14の端部から離してサーフェスシールド層17を形成する。そして、このサーフェスシールド層17と読み出しゲート14との間に、フォトダイオード層16よりも高濃度な不純物領域21を形成する。こうして、サーフェスシールド層17による電位障壁の形成を抑えて、フォトダイオード層16内に蓄積された電荷を読み出しやすくすることで、読み出し電圧の低電圧化を可能にする構成となっている。

請求項（抜粋）：

表面再結合を抑制するためのシールド層を有する、サーフェスシールド構造のフォトダイオード領域と、このフォトダイオード領域内の電荷を読み出すための読み出しゲート電極とを備える固体撮像装置において、少なくとも、前記読み出しゲート電極と前記シールド層との間に、前記シールド層による電位障壁を取り除くための不純物領域を設けたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B

Fターム (19件)：

4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA35 ,  5C024AA01 ,  5C024CA10 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA26 ,  5C024GA31 ,  5C024JA04 ,  5C024JA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-280377
  
• 固体画像センサ用の部分的ピン止めフォトダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-007072   出願人：イーストマンコダックカンパニー
• 固体撮像素子の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-151142   出願人：ソニー株式会社