特許
J-GLOBAL ID：200903043031632290

透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル

発明者：
梨木 智剛

梨木 智剛 について

, 
菅原 英男

菅原 英男 について

, 
吉武 秀敏

吉武 秀敏 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305761
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261091
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 周縁部近傍でのペン入力耐久性に優れ、かつ、透明導電層の表面電気抵抗の変化を抑制し、信頼性の良好な透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネルを提供する。【解決手段】 本発明の透明導電性積層体10は、透明なフィルム基材1と、前記フィルム基材1の一方の面にドライプロセスにより設けられ、厚さが1〜30nm、相対屈折率が1.6〜1.9のSiOx膜2(xは1.5以上2未満)と、前記SiOx膜2上に設けられ、厚さが10〜50nmのSiO2膜3と、前記SiO2膜3上に設けられ、厚さが20〜35nmの透明な導電性薄膜4とを有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明なフィルム基材と、 前記フィルム基材の一方の面に、ドライプロセスにより設けられ、厚さが1〜30nm、相対屈折率が1.6〜1.9のSiOx膜(xは1.5以上2未満)と、 前記SiOx膜上に設けられ、厚さが10〜50nmのSiO2膜と、 前記SiO2膜上に設けられ、厚さが20〜35nmの透明な導電性薄膜とを有することを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (5件)：
H01B 5/14 ,  B32B 9/00 ,  G02B 1/10 ,  G06F 3/041 ,  G06F 3/045
FI (6件)：
H01B5/14 A ,  B32B9/00 A ,  G02B1/10 Z ,  G06F3/041 330A ,  G06F3/041 330H ,  G06F3/045 C
Fターム (45件)：
2K009BB11 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  2K009EE03 ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AB09D ,  4F100AB21D ,  4F100AK01E ,  4F100AK25 ,  4F100AK42 ,  4F100AK51 ,  4F100AT00A ,  4F100AT00E ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA25 ,  4F100CB00E ,  4F100DE01D ,  4F100EH46 ,  4F100EH66 ,  4F100EJ54 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11D ,  4F100JG01 ,  4F100JG01D ,  4F100JG04 ,  4F100JK07 ,  4F100JK12 ,  4F100JM02D ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01E ,  4F100JN18B ,  5B068AA01 ,  5B068AA22 ,  5B068AA33 ,  5B068BB04 ,  5B087AA04 ,  5B087CC12 ,  5B087CC14 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC02
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM