特許

J-GLOBAL ID：200903043050936143

半導体装置およびその製造方法

発明者： 光平 規之 ,  榊原 清彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 竹中 岑生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383849
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188372
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 パンチスルーストッパーとしてのAsのイオン注入を的確に行うことにより、リークカレントの発生を適切に抑制できる半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 ソースおよびドレイン間のチャネルを生成するため半導体基板にウエルを形成するウエル形成工程と、前記ウエルにパンチスルーを阻止するためのパンチスルーストッパーとしてAsを注入するAs注入工程と、前記チャネルにしきい値電圧を所定の値とするためのチャネルドープとしてBを注入するB注入工程とを含み、前記As注入工程においては、As注入源と前記ウエルを形成した半導体基板とを半導体基板面に平行な面で相対的に回転させながらAsの注入を行うようにした。

請求項（抜粋）：

チャネル幅1μm以下のトランジスタにおいて、素子分離領域と活性領域の境界部のゲート長が活性領域中央のゲート長に比べ、少なくとも0.01μm以上太くしたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 X

Fターム (30件)：

5F140AA18 ,  5F140AA24 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BE03 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF51 ,  5F140BF56 ,  5F140BG08 ,  5F140BG38 ,  5F140BH02 ,  5F140BH15 ,  5F140BH34 ,  5F140BH39 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK01 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK25 ,  5F140BK26 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-109369
  
• MOS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-207763   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-109369