半導体発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112528
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 InGaAlP等からなる量子井戸構造発光部における発光効率を改善することができ、輝度向上をはかり得る半導体発光装置を提供すること。【構成】 n-GaAs基板11と、この基板11上に形成されたn-InGaAlPクラッド層12と、このクラッド12層上に形成された、量子井戸層13aを障壁層13bで挟んだ量子井戸構造からなる発光層13と、この発光層13上に形成されたp-InGaAlPクラッド層14とを具備し、基板11と反対側の面上から光を取り出すLEDにおいて、発光層13を成す量子井戸構造の量子井戸層13aの層数を10以上としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の化合物半導体基板と、この基板上に形成された第1導電型のInGaAlPクラッド層と、このクラッド層上に形成された、量子井戸層を障壁層で挟んだ量子井戸構造からなる発光層と、この発光層上に形成された第2導電型のInGaAlPクラッド層とを具備し、基板と反対側の面上から光を取り出す半導体発光装置であって、前記発光層を成す量子井戸構造の量子井戸層の層数が8以上であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (13件)

面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294814 出願人：光技術研究開発株式会社
特開平4-212479
特開平2-302085

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