真空処理方法、およびその真空処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：飯阪泰雄 (外1名) , 飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096311
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263931
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 CVD、スパッタリング、分子線エピタキシ、蒸着、イオン注入、その他の真空処理において、形成される薄膜ないしは被処理物中の不純物濃度を低くする真空処理方法、およびその真空処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマCVD装置1の真空槽11内に、その内壁を覆うようにシュラウド16を設け、成膜前のベーキング時には250°Cのシリコンオイルを流して真空槽11の内壁等をベーキングし、成膜時には-30°Cのシリコンオイルを流して真空槽11からの不純物ガスの放出を抑えると共に、プラズマの熱を吸収させる。また、真空槽11内は磁気軸受型ターボ分子ポンプ19によって成膜前には10-10 Torrの圧力まで排気し、原料のシランガスはガス精製器33を経由させて真空槽11内へ導入する。

請求項（抜粋）：

CVD、スパッタリング、分子線エピタキシ、蒸着、イオン注入、またはその他の真空処理を行うべき真空処理装置の真空槽内にその内壁を覆うようにシュラウドを設け、真空処理前においては前記シュラウド内に高温度の媒体を流して前記真空槽内をベーキングし不純物ガスを放出させた後に超真空領域まで排気し、真空処理時においては低温度の前記媒体を流して前記真空槽内を冷却し不純物ガスの放出を抑制すると共に前記真空槽内に存在する不純物ガスを凝結捕捉することにより、形成される薄膜または被処理物中の不純物濃度を低下させることを特徴とする真空処理方法。

IPC (6件)：

C23C 14/00 , C23C 16/44 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/3065

FI (7件)：

C23C 14/00 C , C23C 16/44 D , C23C 16/44 J , H01L 21/203 Z , H01L 21/205 , H01L 21/265 D , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-101019
特開平4-040227
特開昭62-101019

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