半導体量子井戸光変調器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222043
公開番号（公開出願番号）：特開平10-062732
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高速動作・高入力下での飽和のない素子を提供する。更に、入射光の伝搬損を増加せず、且つ、吸収係数変化が小さい電圧で得られる高性能で低チャープ特性を有する光導波路形変調器を提供する。【解決手段】第一と第二のバンドギャップ(Eg1,Eg2:Eg1>Eg2)をそれぞれ持つ第一と第二の半導体からなり、その厚さがボーア半径より薄い多重異種構造から構成されるいわゆる多重量子井戸(MQW)半導体素子において、上記多重量子井戸層3の両側を第一の半導体と同等かそれより小さい屈折率を持つ第三の半導体2,4で挟んだ、いわゆる導波構造を形成し、この導波構造を上記各層に平行な面内で挟んで互いに一方を他方とその導電形が異なるように不純物を添加して外部から上記多重量子井戸層に垂直に電圧を印加できるようにした導波形多重量子井戸構造光変調器とする。

請求項（抜粋）：

第一と第二のバンドギャップ(Eg1,Eg2:Eg1>Eg2)をそれぞれ持つ第一と第二の半導体からなり、その厚さがボーア半径より薄い多重異種構造から構成されるいわゆる多重量子井戸(MQW)半導体素子において、上記多重量子井戸層の両側を第一の半導体と同等かそれより小さい屈折率を持つ第三の半導体で挟んだ、いわゆる導波構造を形成し、この導波構造を上記各層に平行な面内で挟んで互いに一方を他方とその導電形が異なるように不純物を添加して外部から上記多重量子井戸層に垂直に電圧を印加できるようにした導波形多重量子井戸構造光変調器において、その導波形多重量子井戸構造光変調器を構成する多重量子井戸(MQW)半導体素子の上記第一の半導体のバンドギャップと上記第二の半導体のバンドギャップの伝導帯におけるエネルギー差ΔECが0.2eVより大きく0.5eVより小さいことを特徴とする半導体量子井戸光変調器。

引用特許：

審査官引用 (6件)

導波形単一量子井戸光制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-333257 出願人：日本電信電話株式会社
特表昭60-500686
特開昭61-173218

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