パターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320843
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181052
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【構成】芳香環含有化合物を含むレジストを基板に塗布してパターン露光し、レジストの表面に選択的に耐ドライエッチング層を形成した後、表面に耐ドライエッチング層が形成されていない部分を異方性ドライエッチングにより除去するパターン形成方法において、レジストの露光に用いられる露光光の波長が、芳香環含有化合物中の芳香環の吸収帯のうち長波長側から3番目の吸収帯のピーク波長よりも短く、長波長側から4番目の吸収帯のピーク波長よりも長いことを特徴とする。【効果】短波長の露光光でマスク上のパターンをレジストに忠実に転写することができ、微細なパターンを高い精度で形成することができる。

請求項（抜粋）：

芳香環含有化合物を含むレジストを基板に塗布してレジスト層を形成する工程と、該レジスト層を所望のパターンに従って露光する工程と、該レジスト層の表面に選択的に耐ドライエッチング層を形成する工程と、該レジスト層の、表面に耐ドライエッチング層が形成されていない部分をドライエッチングにより除去する工程と、を具備するパターン形成方法において、レジスト層の露光に用いられる露光光の波長が、レジスト層に含有される芳香環含有化合物中の芳香環の吸収帯のうち長波長側から3番目の吸収帯のピーク波長よりも短く、長波長側から4番目の吸収帯のピーク波長よりも長いことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 512 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/30 515 B , H01L 21/30 507 D , H01L 21/302 H , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-287047
乾式現像可能なフォトレジスト組成物およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305898 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100152 出願人：日本合成ゴム株式会社

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