特許

J-GLOBAL ID：200903043122755874

アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法及び修正装置

発明者： 土肥 徹也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327925
公開番号（公開出願番号）：特開平11-038448
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極を設けたアクティブマトリクス基板に生じた欠陥を、下層の信号線を損傷することなく修正する方法及びそのための装置を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極を設けたアクティブマトリクス基板において、前記透明導電膜に対して吸収されるレーザを用いて前記透明導電膜の一部を除去することにより、レーザエネルギーは殆どが前記透明導電膜で吸収され、残りの透過するレーザエネルギーは層間絶縁膜で吸収されるので、下層の信号線へ到達するときには該信号線を損傷するに足りるエネルギーが得られなくなる。したがって、下層の信号線を損傷することなく修正を行うことができる。

請求項（抜粋）：

互いに直交差するゲート信号線及びデータ信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチング素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号線及びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法において、前記アクティブマトリクス基板の透明導電膜形成面側から、前記透明導電膜及び層間絶縁膜に対して吸収されるレーザを用いて、前記透明導電膜の一部を除去することを特徴とするアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  G09F 9/30 306 ,  H01L 21/302 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  G09F 9/30 306 ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 29/78 624

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-223727
  
• 液晶表示素子用透明導電層の修正法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198038   出願人：京セラ株式会社
• パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-120796   出願人：理化学研究所
• 特開平3-209422