特許
J-GLOBAL ID：200903043132842619

線形および飽和領域で動作可能なパワーMOSFET用電流センス

発明者：
ヴァンサン ティエリ

ヴァンサン ティエリ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション

インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-145323
公開番号（公開出願番号）：特開2004-364280
出願日： 2004年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 パワーMOSFETの線形および飽和の両方の動作領域でパワーMOSFETを流れる電流をセンスする電流センス回路を提供する。【解決手段】 電流センス回路は、パワーMOSFETに結合しパワーMOSFETの飽和動作領域でパワーMOSFETを流れる電流をセンスする第1回路と、パワーMOSFETに結合しMOSFETの線形動作領域でMOSFETを流れる電流をセンスする第2回路とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
パワーMOSFETを流れる電流を、該パワーMOSFETの線形および飽和の両方の動作領域でセンスする電流センス回路であって、 前記パワーMOSFETに結合し、該パワーMOSFETの飽和動作領域で該パワーMOSFETを流れる電流をセンスする第1回路と、 前記パワーMOSFETに結合し、該MOSFETの線形動作領域で該MOSFETを流れる電流をセンスする第2回路と を備えたことを特徴とする電流センス回路。
IPC (4件)：
H03K17/687 ,  H01L29/78 ,  H03F1/00 ,  H03K17/00
FI (5件)：
H03K17/687 A ,  H01L29/78 657F ,  H01L29/78 657G ,  H03F1/00 Z ,  H03K17/00 B
Fターム (23件)：
5J055AX36 ,  5J055BX16 ,  5J055DX22 ,  5J055DX53 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ03 ,  5J055EZ08 ,  5J055FX04 ,  5J055FX13 ,  5J055FX18 ,  5J055FX35 ,  5J055GX01 ,  5J500AA01 ,  5J500AA43 ,  5J500AC84 ,  5J500AF17 ,  5J500AH10 ,  5J500AH28 ,  5J500AK01 ,  5J500AK05 ,  5J500AK09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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