特許

J-GLOBAL ID：200903043152106080

フェノールノボラック樹脂、およびそれを用いたポジ型ホトレジスト組成物

発明者： 宮城 賢 ,  土井 宏介 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240642
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 微細な密集、孤立パターンを良好に形成し、感度、解像性、焦点深度幅特性に優れるフェノールノボラック樹脂、ポジ型ホトレジスト組成物の提供。【解決手段】 13C-NMR測定によりo-o/o-p/p-pのピーク強度比が5.0〜8.5/2.5〜4.5/1であり、下記式で表されるフェノール系構成単位を有するMwが3000〜20000のフェノールノボラック樹脂。【化1】

請求項（抜粋）：

13C-NMR測定により検出される樹脂構造中のオルト-オルト結合(o-o)/オルト-パラ結合(o-p)/パラ-パラ結合(p-p)のピーク強度比が、5.0〜8.5/2.5〜4.5/1の範囲であり、下記一般式(I)〜(III)で表されるフェノール系構成単位を有するポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)が3000〜20000であることを特徴とするフェノールノボラック樹脂。【化1】

IPC (5件)：

C08G 8/08 ,  C08K 5/28 ,  C08L 61/08 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08G 8/08 ,  C08K 5/28 ,  C08L 61/08 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (42件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA10 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CB51 ,  2H025CB55 ,  4J002CC041 ,  4J002EQ036 ,  4J002FD146 ,  4J002GP03 ,  4J033CA01 ,  4J033CA02 ,  4J033CA03 ,  4J033CA04 ,  4J033CA05 ,  4J033CA07 ,  4J033CA11 ,  4J033CA12 ,  4J033CA13 ,  4J033CA18 ,  4J033CA19 ,  4J033CA24 ,  4J033CB21 ,  4J033CC03 ,  4J033CC08 ,  4J033CC09 ,  4J033CD02 ,  4J033CD03 ,  4J033CD04 ,  4J033HA02 ,  4J033HA08 ,  4J033HA09 ,  4J033HA12 ,  4J033HA21 ,  4J033HB10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037308   出願人：東京応化工業株式会社