特許
J-GLOBAL ID：200903043163435620

半導体発光素子

発明者：
吉江 睦之

吉江 睦之 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016246
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216476
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 反射率が高い反射膜を有する半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 GaN系半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に、低温バッファ層2、n-コンタクト層3、n-クラッド層4、n-光ガイド層5、n-MQW発光層6、p-Al0.1 Ga0.9 N層7、p-光ガイド層8、p-クラッド層9およびp-コンタクト層10が順に積層されている。半導体レーザ素子100の後端面30は反射膜33により被覆されている。反射膜33は、8つのSiO2 膜31と8つのSi3 N4 膜32とが順に積層されてなり、SiO2膜31と後端面30とが接触する。
請求項（抜粋）：
発光層を含みかつガリウム、アルミニウム、インジウムおよびホウ素の少なくとも1つを含む窒化物系半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記窒化物系半導体層の少なくとも1つの端面が反射膜で被覆され、前記反射膜は前記端面に接する酸化膜を含むことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (13件)：
5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073DA33 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体レーザー装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-189243   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-048331   出願人：シャープ株式会社

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