特許
J-GLOBAL ID：200903019284490353

半導体レーザ素子

発明者：
谷 健太郎

谷 健太郎 について

, 
東出 啓

東出 啓 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048331
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247756
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 可視光及び短波長レーザ光の領域では、特にレーザ素子の後面側において、光吸収による温度上昇を要因とするレーザ素子の瞬時光学的損傷が容易に生じ、信頼性が低下する。【解決手段】 レーザ光出射端面部に形成される光反射膜が、出射されるレーザ光に対する光吸収係数の小さい材料からなることを特徴とする。ここで、光反射膜は、酸化シリコン5、7及び酸化チタン6の多層膜からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
レーザ光の出射端面部に形成される光反射膜を、前記レーザ光に対する光吸収係数がシリコンより小さい材料によって形成してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM