特許
J-GLOBAL ID：200903043195537808
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341513
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180485
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】誤り訂正回路の回路規模を小さくすると共に、動作速度を速くする。【解決手段】512バイトのセクタ・データ及びこのセクタ・データと対応する32バイトのアトリビュート・データを1組のデータとして1行に格納するセクタを8個含む単位メモリ・ブロックMB11〜MB44を4行,4列に配置する。これら単位メモリ・ブロックのうちの1つを選択するカラム・ブロック・デコーダ12及びロウ・ブロック・デコーダ13を設ける。1つの単位メモリ・ブロックの1つのセクタをアクセスする。【効果】1行のアクセスで済むので動作速度を速くすることができ、1本のビット線不良を救済するものとすると1ビットの誤り訂正で済み、誤り訂正回路の回路規模を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
第1のバイト数の1組のセクタ・データ及びこのセクタ・データと対応する第2のバイト数の1組のアトリビュート・データを1つの単位として格納する複数のメモリセルを所定の少数行に配置したセクタを少なくとも1つ含むメモリセルアレイを備え選択状態のとき第1のアドレス信号に従って前記セクタに格納されているセクタ・データ及びアトリビュート・データを読出しデータ消去時には1つの消去単位となる単位メモリ・ブロックを所定行,所定列配置したメモリブロック・アレイと、第2のアドレス信号に従って前記メモリブロック・アレイの所定の単位メモリ・ブロックを選択状態とする単位メモリ・ブロック選択回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 320
G11C 17/00 309 F
, G06F 12/16 320 F
