光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181039
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038151
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】反射層に対し斜め方向に入射する光を高い反射率で反射する単純な構成の半導体反射層を備えて、外部出射効率もしくは電流利用効率の高効率化を図った半導体発光素子を提供する。【構成】半導体基板10と、pn接合発光部16からの光を伝える入射側媒質であるクラッド層15との間に、クラッド層15より低い屈折率を有し、層厚が0.25μm以上である半導体反射層14を設ける。また、クラッド層17と表面電極25との間に同様な半導体反射層18を設けても良い。

請求項（抜粋）：

少なくとも光を情報またはエネルギーとして取り扱う光半導体装置において、光入射層が有する第1の屈折率より低い第2の屈折率を有し、層厚が0.25μm以上である半導体反射層を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (8件)

面発光型発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-140025 出願人：大同特殊鋼株式会社
特開平4-246879
特開平4-372188

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