半導体基板およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304347
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079134
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】抵抗率が低い基板が必要とされる低耐圧パワーディスクリート素子の製造に好適な半導体基板であって、基板表面でのミスフィット転位の発生を抑制することができる半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】低濃度不純物基板の表面に、リンおよびアンチモンを拡散させて、前記低濃度不純物基板よりも高濃度の不純物を含有する高濃度不純物拡散層を形成させる工程と、前記高濃度不純物拡散層形成面を鏡面化させる工程と、前記鏡面化された高濃度不純物拡散層の表面に、該高濃度不純物拡散層よりも低濃度で不純物を含有するエピタキシャル層を形成させる工程とを備える製造方法により、エピタキシャルウエハを製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

低濃度不純物基板の表面に、15族元素のうち2種類の元素が拡散された前記低濃度不純物基板よりも高濃度の不純物を含有する高濃度不純物拡散層が形成され、前記高濃度不純物拡散層の表面に、該高濃度不純物拡散層よりも低濃度の不純物を含有するエピタキシャル層が形成されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L21/225 , H01L21/20 , H01L21/205

FI (3件)：

H01L21/225 R , H01L21/20 , H01L21/205

Fターム (11件)：

5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA01 , 5F045DA59 , 5F052KA01 , 5F052KA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

抵抗率が低いn型又はp型金属シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-223304 出願人：科学技術振興事業団

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