特許
J-GLOBAL ID：200903043246092270
レジストパターン幅寸法の調整方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155678
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347201
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターン幅寸法を調整する精度が向上するレジストパターン幅寸法の調整方法を得ることを目的とする。【解決手段】 テスト露光として2種類のレジストパターンが前記ウエハ上に形成される。形成された前記2種類のレジストパターンのレジストパターン幅寸法は、例えばSEM(電子顕微鏡)等によって測定されればよい。測定された前記レジストパターン幅寸法に基づいて、前記露光装置の予め設定された基本設定焦点位置からのずれ量を求め、前記基本設定焦点位置からのずれ量に基づいて、前記基本設定焦点位置からのずれ量分を補正して前記ウエハに対して露光し、レジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
レジスト膜が塗布されたウエハに対し、露光装置から照射され、かつライン状又は円状のマスクパターンを反射した光又は透過した光を露光することで形成されるレジストパターンの長手方向と直交する幅方向の寸法又は径方向の寸法であるレジストパターン幅寸法の調整方法であって、前記マスクパターンの長手方向と直交する幅方向又は前記径方向に対し、互いに隣り合うマスクパターンとマスクパターンとが周期的に形成されている寸法であるパターンピッチ、或いは前記幅方向又は前記径方向に対し、互いに隣り合うマスクパターンとマスクパターンとの間の寸法であるパターン間隔が異なり、かつ前記マスクパターンの前記幅方向の寸法又は前記径方向の寸法であるマスクパターン幅寸法が同一である2種類のマスクパターンを反射した光又は透過した光で前記2種類のマスクパターンと対応する2種類のレジストパターンを前記ウエハ上に形成し、前記2種類のレジストパターンのレジストパターン幅寸法を各々測定し、前記レジストパターン幅寸法同士の差に基づいて、前記露光装置の予め設定された焦点位置である基本設定焦点位置からのずれ量を求め、前記基本設定焦点位置からのずれ量に基づいて、前記基本設定焦点位置からのずれ量分を補正して前記ウエハに対して露光することによってレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン幅寸法の調整方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 9/02 H
, H01L 21/30 516 A
, H01L 21/30 502 V
5F046BA03
, 5F046DA04
, 5F046DA11
