特許

J-GLOBAL ID：200903043251105819

半導体装置の製造方法

発明者： 善家 昌伸 ,  相宗 史記
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342449
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169735
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 極微細化が進んだ半導体装置における高アスペクト比のシリコン層の製造コストを低減すること。【構成】 P型シリコン基板1にシリコン酸化層2を形成し、P型シリコン基板1内にN+型不純物拡散層3を形成する。次に、リン含有のポリシリコン層4、6を低圧CVD装置で形成するが、途中で、ポリシリコン形成を中断して、低圧CVD装置内を酸化性雰囲気もしくは窒化性雰囲気にする。これによりポリシリコン表面にシリコン酸化層もしくはシリコン窒化層による不純物拡散防止層5を形成する。

請求項（抜粋）：

不純物を含有するシリコン層(4、6)を成長させるシリコン層成長工程と、該シリコン層成長工程を少なくとも1回中断して不純物拡散防止層(5)を成長させる不純物拡散防止層成長工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046508   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-162675
  
• 特開平3-019348
  
• 特開平2-303122