特許
J-GLOBAL ID:200903043252206686

位相シフトフオトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 韮澤 弘 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-295610
公開番号(公開出願番号):特開平5-134386
出願日: 1991年11月12日
公開日(公表日): 1993年05月28日
要約:
【要約】【目的】 エッチングストパー層としてエッチング選択性が優れ、耐湿性も優れた材料からなる膜を用いた位相シフトフォトマスク。【構成】 少なくとも基板30とその表面に遮光パターン37を介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターン44とからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板30表面にAl2 O3 とMgO、ZrO、Ta2 O3 又はHfOの混合物からなるエッチングストパー層31を設けることにより、位相シフターパターンをエッチングにより作成する際、この層のエッチングストパー作用により、位相シフター用透明膜を確実に正確にエッチングすることができる。
請求項(抜粋):
少なくとも基板とその表面に遮光パターンを介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターンとからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板表面にAl2 O3 とMgO、ZrO、Ta2 O3 又はHfOの混合物からなる膜を備えてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W
引用特許:
審査官引用 (4件)
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